硅中受主杂质的界面诱导重空穴/轻空穴分裂
介观与纳米尺度物理
2015-06-11 v1
摘要
我们利用低温扫描隧道谱（STS）研究了硅中单个亚表面硼受主掺杂剂的自旋 - 轨道耦合态能谱。空间分辨的隧道谱显示出两个共振峰，我们将其归因于重空穴和轻空穴的 Kramers 二重态。这种简并破缺类型最近被认为有利于基于受主的量子比特的寿命 [Phys. Rev. B 88 064308 (2013)]。重空穴与轻空穴 Kramers 二重态之间随深度变化的能级分裂与紧束缚计算结果一致，且在实验可及的深度范围（距表面< 2 nm）内，所有受主的分裂能均超过 1 meV。这些结果将有助于开发具有长相干时间且可进行电操纵的可调谐硅基受主量子比特。
引用
@article{arxiv.1501.05669,
title = {Interface-induced heavy-hole/light-hole splitting of acceptors in silicon},
author = {J. A. Mol and J. Salfi and R. Rahman and Y. Hsueh and J. A. Miwa and G. Klimeck and M. Y. Simmons and S. Rogge},
journal= {arXiv preprint arXiv:1501.05669},
year = {2015}
}