图像化硅中接受子波函数各向异性
介观与纳米尺度物理
2025-05-20 v1
摘要
我们展示了氢化接受子波函数在硅中的首个扫描隧道显微镜（STM）图像。这些接受子态在STM图像中呈现为方形环形特征，源于由高能铋掺杂引入硅(001)晶片表面的近表面缺陷。扫描隧道光谱确认了形成p型表面的过程。有效质量和紧束缚计算对观察到的方形环形特征提供了优异的描述，确认了其接受子特征，并将其对称性归因于硅中轻空穴带和重空穴带的能级简并。对接受子波函数在硅中能量和空间性质的深入理解，对工程大规模接受子基量子器件至关重要。
引用
@article{arxiv.2505.13041,
title = {Imaging the Acceptor Wave Function Anisotropy in Silicon},
author = {Manuel Siegl and Julian Zanon and Joseph Sink and Adonai Rodrigues da Cruz and Holly Hedgeland and Neil J. Curson and Michael E. Flatté and Steven R. Schofield},
journal= {arXiv preprint arXiv:2505.13041},
year = {2025}
}
备注
19 pages, 3 figures