高压下硅纳米线的反常拉曼特征
介观与纳米尺度物理
2015-05-19 v2 无序系统与神经网络
材料科学
摘要
利用原位拉曼光谱，我们展示了直径小于 10 nm 的硅纳米线 (SiNWs) 在高压（≤ 15 GPa）下能够转变为具有明显声子限域的刚性束状结构，而非如先前报道所述的非晶化。在 ≥ 5 GPa 时，新观察到的二阶横向光学 (2TO) 拉曼模式分裂为 2TO(L) 和 2TO(W) 声子模式，这确立了这些 SiNWs 的高度各向异性和模式依赖的压力响应。与其它纳米结构硅和体硅相比，这种新型结构在更高的线性模量、更强的声子限域和更小的非谐性方面具有优越性。
引用
@article{arxiv.1006.0442,
title = {Anomalous Raman features of silicon nanowires under high pressure},
author = {Somnath Bhattacharyya and Dmitry Churochkin and Rudolph M Erasmus},
journal= {arXiv preprint arXiv:1006.0442},
year = {2015}
}
备注
13 pages, 3 figures, submitted to APL