扫描隧道显微镜针尖与氢吸附Si(001)表面之间隧道电流的第一性原理研究
材料科学
2009-11-11 v1
摘要
使用第一性原理电子传导计算研究了氢吸附Si(001)表面的扫描隧道显微镜(STM)图像。所得的STM图像和扫描隧道谱与实验结果一致。裸二聚体的π态对隧道电流的贡献显著,而二聚体的σ态对STM图像影响很小。隧道电流不通过二聚体的中心,而是通过二聚体的边缘,并伴有局部环流。此外,当针尖位于氢吸附二聚体上方时,相邻裸二聚体的π态对隧道电流有一定贡献。这导致STM图像中,与裸二聚体相邻的氢吸附二聚体看起来比被氢吸附二聚体包围的那些更高。这些结果与STM观察到的实验图像一致。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0603605,
title = {First-principles study of tunnel current between scanning tunneling microscopy tip and hydrogen-adsorbed Si(001) surface},
author = {Tomoya Ono and Shinya Horie and Katsuyoshi Endo and Kikuji Hirose},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0603605},
year = {2009}
}
备注
10 pages and 4 figures