Si-P 异二聚体的 STM 表征
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
我们采用扫描隧道显微镜 (STM) 和 Auger 电子光谱研究吸附在 Si(001) 表面的磷酸 (PH₃) 的行为，重点关注 Si-P 异二聚体形成。将约 0.002 Langmuirs 的 PH₃ 敲加到 Si(001) 表面后，结果为表面吸附 PH_x (x=2,3) 并形成单个 Si 亚二聚体。加热至 350°C 后，P 被引入表面层以形成 Si-P 异二聚体，并形成短 1 维 Si 二聚体链和单氢化物。填充态 STM 图像中，孤立的 Si-P 异二聚体因异二聚体引起的静态二聚体 buckling 而呈现锯齿形特征。在单氢化物适度覆盖的情况下，这种静态 buckling 被消除，使 Si-P 异二聚体在填充态图像中不可见。然而，我们发现可在所有 H 覆盖率下使用空态成像显示异二聚体。识别单个 P 原子嵌入 Si(001) 的能力将在基于受控原子尺度掺杂的 Si 纳米电子器件开发中发挥重要作用。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0310297,
title = {STM characterization of the Si-P heterodimer},
author = {N. J. Curson and S. R. Schofield and M. Y. Simmons and L. Oberbeck and J. L. O'Brien and R. G. Clark},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0310297},
year = {2007}
}
备注
6 pages, 4 figures (only 72dpi)