磷化氢在Si(001)-2$\times$1-Cl表面吸附的第一性原理研究
材料科学
2019-01-04 v1 其他凝聚态物理
摘要
本文给出磷化氢在覆有氯单层的Si(001)-21表面吸附的DFT研究,包括吸附于局域缺陷,即吸附层中的单空位和双空位(Cl, Cl),以及移除硅原子后的复合空位(SiCl, SiCl)。发现了吸附的PH解离为PH+H和PH+H碎片的活化势垒;并确认复合空位上的磷化氢解离在室温下即可发生。若表面存在硅空位,磷以PH形式(若空位为SiCl)或PH形式(若空位为SiCl)定居于Si(001)晶格中。本文提出一种利用磷化氢在Si(001)-21-Cl表面用STM针尖专门创建的缺陷上吸附,以原子精度将孤立磷原子植入硅表面层的方法。
引用
@article{arxiv.1901.00766,
title = {First-Principle Study of Phosphine Adsorption on Si(001)-2$\times$1-Cl},
author = {Tatiana V. Pavlova and Georgy M. Zhidomirov and Konstantin N. Eltsov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1901.00766},
year = {2019}
}