单层与双层黑磷中的本征点缺陷
材料科学
2020-07-01 v1
摘要
我们研究了单层与双层黑磷中本征点缺陷（空位与自间隙）的稳定性和电子性质。我们利用第一性原理密度泛函理论（DFT）以及电子自能的GW近似，计算了这些缺陷的形成能、准粒子缺陷态和电荷转移能级（CTLs）。通过对单层黑磷中间隙缺陷采用DFT + GW双路径形式，我们表明在引入静电修正后，CTLs可以被可靠地计算。我们的计算表明，所有本征点缺陷在中性态下均具有较低的形成能（0.9–1.6 eV）。此外，我们发现黑磷中的空位表现为受主型缺陷，这可以解释黑磷的p型导电性。另一方面，间隙缺陷可表现出受主型和施主型两种行为。
引用
@article{arxiv.2001.04181,
title = {Native Point Defects in Mono-- and Bi--layer Phosphorene},
author = {Sudipta Kundu and Mit H. Naik and Manish Jain},
journal= {arXiv preprint arXiv:2001.04181},
year = {2020}
}