硅(001)表面铝烷的吸附与解离
材料科学
2017-09-13 v2
摘要
我们使用DFT研究了铝烷AlH3在Si(001)表面作为PH3的受主补充物的分解能量学。铝烷通过Si原子孤对电子与硅表面二聚体中被抬起的原子形成配位键。我们计算了吸附后连续脱氢事件路径上各种结构的能量：AlH2、AlH和Al，发现能量逐渐显著下降。对于每个阶段，我们分析了结构与成键，并给出了最低能量结构的模拟STM图像。最后，我们发现铝原子并入表面并弹出Si原子的能量与Al吸附原子相当。这些发现表明，Al并入可能像P并入一样被精确控制，尽管实现起来稍显困难。
引用
@article{arxiv.1704.06156,
title = {Alane adsorption and dissociation on the Si(001) surface},
author = {Richard L. Smith and David R. Bowler},
journal= {arXiv preprint arXiv:1704.06156},
year = {2017}
}
备注
Submitted to J. Phys.: Condens. Matter