单原子在 h-BN 上的吸附：从原色面到空位工程化 sites 的周期表

使用密度泛函理论系统地考察了单原子在原色 h-BN 及缺陷面的吸附。考察了来自周期表前三行的元素，以及选取的过渡金属和券金属，分别作用于原色面和 boron-、nitrogen-空位 sites。于原色 h-BN 上，吸附通常较弱，由色散力主导，仅限于高度电负性原子如 C、O、F 才能实现可测量的化学吸附。缺陷的引入将 h-BN 转化为化学活性材料，将吸附能提高一个到两个数量级。boron 空位通过与配位给 undercoordinated 氮原子来强化金属和电正性物种，而 nitrogen 空位则选择性地结合电负性和共价吸附体。基于元素内离加能的吸附能比例，区分了 physisorption、chemisorption 与取代性稳定化三个 regime。这些见解提供了周期表中吸附趋势的统一描述，确立了缺陷工程作为调控 h-BN 催化、感知和电子性质的有效策略。