六方氮化硼中的碳与空位中心
材料科学
2022-08-31 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
创制具有预定光学、化学及其他特性的缺陷是增强材料功能性的有力手段。在此，我们利用密度泛函理论理解六方氮化硼中基于空位和替代原子的缺陷形成微观机制。通过深入分析不同生长条件下缺陷诱导的能带结构与形成能，我们揭示了缺陷间电子配对在缺陷复合体稳定中的主导作用。电子重排改变了电子相互作用的交换分量，其主导了直接库仑排斥或结构弛豫效应，使得受主型与施主型缺陷中心的组合在能量上是有利的。基于大量缺陷复合体的分析，我们提出了当单个缺陷组合形成更复杂中心时电子性质继承的简明图像。
引用
@article{arxiv.2112.14906,
title = {Carbon and vacancy centers in hexagonal boron nitride},
author = {P. Huang and M. Grzeszczyk and K. Vaklinova and K. Watanabe and T. Taniguchi and K. S. Novoselov and M. Koperski},
journal= {arXiv preprint arXiv:2112.14906},
year = {2022}
}