氮化硼纳米结构中激子与缺陷态的耦合
介观与纳米尺度物理
2011-05-03 v1 材料科学
摘要
利用多体微扰理论研究了六方氮化硼(BN)光学光谱中缺陷的特征。单层BN片作为不同层状BN纳米结构和晶体的模型。我们在该片层中嵌入了典型缺陷，如替代杂质、孤立硼空位和氮空位以及双空位。深缺陷能级与扩展态之间的跃迁产生了特征激发带，这应归因于在发光实验中观察到的约4 eV的发射带。此外，还出现了缺陷束缚激子，在我们的从头计算方法中，这些激子与“自由”激子被一致地处理。对于高浓度缺陷，束缚激子和自由激子的共存为主激子峰增加了子结构，并为阴极发光和光致发光光谱中的相应特征提供了解释。
引用
@article{arxiv.1103.2628,
title = {Coupling of excitons and defect states in boron-nitride nanostructures},
author = {C. Attaccalite and M. Bockstedte and A. Marini and A. Rubio and L. Wirtz},
journal= {arXiv preprint arXiv:1103.2628},
year = {2011}
}
备注
in press on Phys. Rev. B