Cl 和 Br 终止的 Si(100) 表面上的悬键
材料科学
2022-04-20 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
硅表面上的卤素单层因在含单个杂质的电子器件制造中的应用而受到广泛关注。为创建用于杂质掺入的卤素掩模，期望能够从表面移除单个卤素原子。我们报道了在扫描隧道显微镜（STM）中从 Si(100)-2x1-Cl 和 -Br 表面解吸单个卤素原子。卤素解吸后在硅表面形成的硅悬键（DB）利用 STM 和密度泛函理论进行了研究。识别出了三种电荷态：正、中性和负。我们的结果表明 DB 的电荷态可被操控，这将允许局部调控 Cl 和 Br 终止的 Si(100) 表面的反应活性。
引用
@article{arxiv.2203.05865,
title = {Dangling bonds on the Cl- and Br-terminated Si(100) surfaces},
author = {T. V. Pavlova and V. M. Shevlyuga and B. V. Andryushechkin and K. N. Eltsov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2203.05865},
year = {2022}
}
备注
8 pages, 5 figures