利用 STM 与 nc-AFM 成像氢终止硅(100)-2x1 表面的原子缺陷
材料科学
2020-09-21 v1
摘要
氢终止硅(100)-2x1 表面（H-Si(100)-2x1）为原子尺度器件的开发提供了有前景的平台，近期工作表明可通过精确脱附表面氢原子来创建此类器件。虽然采用原位方法可常规制备具有较大面积氢终止 2x1 表面的样品，但表面缺陷也不可避免地被形成，从而减少了可用于图形化的面积。在此，我们给出 H-Si(100)-2x1 表面若干常见缺陷的目录。通过结合使用扫描隧道显微镜（STM）与非接触原子力显微镜（nc-AFM），我们能够提取有关这些缺陷的原子与电子结构的有用信息。这使得文献中对若干常见缺陷的归属得以确认，并对先前未报道且未归属的缺陷提出了分类。通过更好地理解这些缺陷的结构与起源，我们朝制备更优表面迈出了第一步，最终将实现更一致、更可靠的原子尺度器件制造。
引用
@article{arxiv.2002.09138,
title = {Atomic defects of the hydrogen-terminated Silicon(100)-2x1 surface imaged with STM and nc-AFM},
author = {Jeremiah Croshaw and Thomas Dienel and Taleana Huff and Robert A. Wolkow},
journal= {arXiv preprint arXiv:2002.09138},
year = {2020}
}