氢化 Si(100)-2×1 表面悬挂键的钝化：氢光刻中一种可能的纠错方法
材料科学
2017-06-12 v2 应用物理
摘要
结合低温扫描隧道显微镜和原子力显微镜，我们通过原子操控展示了在氢钝化的 Si(100)-2×1 表面上对单个选定悬挂键进行氢钝化的方法。该方法允许擦除悬挂键，从而为氢光刻提供了一种纠错方案。用于氢脱附的硅终端针尖和用于氢钝化的氢终端针尖均通过与 H-Si 表面的有意接触来制备，并通过它们在原子力显微镜中的特征衬度加以识别。悬挂键钝化是通过将位于氢终端针尖顶端的氢原子转移至悬挂键上来实现的，从而重新建立一个局部无缺陷的 H-Si 表面。
引用
@article{arxiv.1706.02560,
title = {Passivation of dangling bonds on hydrogenated Si(100)-2$\times$1: a possible method for error correction in hydrogen lithography},
author = {Niko Pavliček and Zsolt Majzik and Gerhard Meyer and Leo Gross},
journal= {arXiv preprint arXiv:1706.02560},
year = {2017}
}