H-Si(100) 2x1 表面原子硅量子点的单电子动力学
介观与纳米尺度物理
2015-06-15 v2
摘要
本文报道了在 H-Si(100) 2x1 表面上直接观测到单个原子悬空键 (DB) 的单电子充电现象。扫描隧道显微镜的针尖被放置在悬空键附近，作为单电子灵敏的电荷探测器。我们分辨出了悬空键的三种不同电荷态：正电态、中性态和负电态。从数据中提取了电荷态概率，并对电流迹线的分析揭示了特征性的单电子充电动力学。研究发现，填充速率随针尖 - 悬空键间距的增加呈指数衰减，但与样品偏压无关；而排空速率对针尖位置的依赖性很弱，但对样品偏压表现出强烈的依赖性，这与原子量子点一侧与针尖隧穿耦合、另一侧与体硅耦合的观点一致。
引用
@article{arxiv.1305.3597,
title = {Single Electron Dynamics of an Atomic Silicon Quantum Dot on the H-Si(100) 2x1 Surface},
author = {Marco Taucer and Lucian Livadaru and Paul G. Piva and Roshan Achal and Hatem Labidi and Jason L. Pitters and Robert A. Wolkow},
journal= {arXiv preprint arXiv:1305.3597},
year = {2015}
}
备注
7 pages, 6 figures