通过非接触原子力显微镜检测单个InAs量子点中的单电子充电
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
通过使用原子力显微镜（AFM）的静电力测量，观察到了单个InAs量子点中的单电子充电。测量了振荡AFM悬臂的共振频移和耗散能作为尖端-背电极电压的函数，当尖端位于量子点上方时，所得光谱显示出明显的跳变。观察到的频移跳变及其对应的耗散峰，归因于由库仑阻塞效应控制的量子点与背电极之间的单电子隧穿，并与基于系统自由能的模型一致。观察到的现象可视为库仑阻塞效应的“力版本”。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0501272,
title = {Detection of Single Electron Charging in an Individual InAs Quantum Dot by Noncontact Atomic Force Microscopy},
author = {Romain Stomp and Yoichi Miyahara and Sacha Schaer and Qingfeng Sun and Hong Guo and Peter Grutter and Sergei Studenikin and Philip Poole and Andy Sachrajda},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0501272},
year = {2007}
}
备注
4 pages, 4 figures