硅原子量子点的可控耦合与占据
材料科学
2008-07-04 v1 其他凝聚态物理
摘要
研究发现，硅原子悬空键 (DB) 态的零维特性允许以一种新形式可控地形成和占据量子点组装体。而在高掺杂 n 型衬底上，孤立的 DB 带负电，研究发现库仑排斥导致间距小于约 2 nm 的 DB 经历局域电荷减少。由此产生的未占据态使得此前未观察到的 DB 间电子隧穿耦合成为可能，扫描隧道显微镜记录的时间平均视图中的显著变化证实了这一点。演示了通过控制间距来直接控制多 DB 系综的净电子占据和隧穿耦合。通过静电控制，表明一对隧穿耦合的 DB 可以从对称双稳态切换到表现出不对称电子占据的状态。同样，在四个 DB 的方形组装体中实现了反极态的设置，从而在室温下展示了量子元胞自动机器件的基本构建模块。
引用
@article{arxiv.0807.0609,
title = {Controlled Coupling and Occupation of Silicon Atomic Quantum Dots},
author = {M. Baseer Haider and Jason L Pitters and Gino A. DiLabio and Lucian Livadaru and Josh Y Mutus and Robert A. Wolkow},
journal= {arXiv preprint arXiv:0807.0609},
year = {2008}
}
备注
19 pages, six figure - Supporting Information included