解理Si:B (111)表面单个硼受主的研究
材料科学
2016-08-31 v1
摘要
采用扫描隧穿显微镜（STM）研究了p型Si的解理且(2×1)重构(111)表面。单个B受主因其特有的电压依赖衬度而被识别，该衬度可由带负电受主的库仑势引起的态密度局域性能量移动来解释。此外，STM图像的细致分析表明，在0.4–0.6 V样品电压下B位处显然缺失一个轨道，对应于局域悬键态的 absent。扫描隧穿谱证实了由于B与Si电子结构不同而导致B原子处态密度被强烈改变。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9910307,
title = {Investigation of Single Boron Acceptors at the Cleaved Si:B (111) Surface},
author = {Maya Schoeck and Christoph Suergers and Hilbert v. Loehneysen},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9910307},
year = {2016}
}
备注
6 pages, 7 figures