基于 X 射线光电子能谱的 SmB6 表面性质研究
强关联电子
2015-03-11 v1
摘要
我们通过 X 射线光电子能谱研究了劈理的 SmB单晶的性质。在低温和新劈理的样品中观察到表面芯能级位移，该位移随温度升高而消失。根据 Sm和 Sm多重态的相对强度，推导出 Sm 价态介于 2.5 至 2.6 之间。从芯能级获得的 B/Sm 强度比始终大于化学计量值。本文讨论了导致这种偏差的可能原因。B 信号显示出意想不到的复杂性：一个异常的低能分量随温度升高而出现，并被归因于表面亚氧化物的形成。虽然本文阐明了 SmB表面的几种有趣的本征和非本征性质，但未发现关于显著表面导电性的平凡机制的明确迹象。
引用
@article{arxiv.1503.02813,
title = {Surface properties of SmB6 from x-ray photoelectron spectroscopy},
author = {N. Heming and U. Treske and M. Knupfer and B. Büchner and D. S. Inosov and N. Y. Shitsevalova and V. B. Filipov and S. Krause and A. Koitzsch},
journal= {arXiv preprint arXiv:1503.02813},
year = {2015}
}