SmB6的块体与表面电子性质：硬X射线光电子能谱研究
材料科学
2017-10-19 v2
摘要
我们对原位解理和离位抛光的SmB6单晶进行了体敏感硬X射线光电子能谱（HAXPES）测量。利用Sm 3d核心能级谱中的多重态结构，我们可靠地确定块体SmB6中Sm的价态在~5 K时接近2.55。温度依赖测量显示Sm价态在300 K时逐渐增加到2.64。从详细的线形分析我们可以清楚地观察到，不仅Sm 4f 6构型的J=0态，而且J=1态在升高温度时也被占据。利用偏振依赖性，我们能够识别并提取块体材料的Sm 4f谱权重。最后，我们揭示离位抛光的SmB6单晶的氧化或化学损伤表面区域出乎意料地薄，仅约1 nm。
引用
@article{arxiv.1705.03459,
title = {Bulk and surface electronic properties of SmB6: a hard x-ray photoelectron spectroscopy study},
author = {Y. Utsumi and D. Kasinathan and K-T. Ko and S. Agrestini and M. W. Haverkort and S. Wirth and Y-H. Wu and K-D. Tsuei and D-J. Kim and Z. Fisk and A. Tanaka and P. Thalmeier and L. H. Tjeng},
journal= {arXiv preprint arXiv:1705.03459},
year = {2017}
}
备注
11 pages, 8 figures