SmB$_6$ 中的相稳定性
材料科学
2021-06-01 v1
摘要
我们通过全局与局域手段研究助熔剂生长的缺 Sm 的 SmB（），包括 X 射线衍射（XRD）、电子输运以及扫描隧道显微镜（STM）与谱学（STS）。所有这些手段均表明，在助熔剂生长样品中 SmB 局域结构具有显著的持久性，即便标称 Sm 浓度低至 。因此，SmB 的整体电子性质，尤其是低温下的表面电导，仅受 Sm 缺陷的局域影响。
引用
@article{arxiv.2105.14916,
title = {Phase stability in SmB$_6$},
author = {M. Victoria Ale Crivillero and Sahana Rößler and H. Borrmann and H. Dawczak-Dȩbicki and Priscila F. S. Rosa and Z. Fisk and S. Wirth},
journal= {arXiv preprint arXiv:2105.14916},
year = {2021}
}
备注
9 pages, 8 figures