浮区法与铝助熔剂生长的 SmB$_6$ 中通过缺陷的体输运路径
强关联电子
2021-05-12 v1
摘要
我们研究了无序对铝助熔剂法和浮区法生长的 SmB 晶体低温输运的作用。我们采用 Corbino 几何构型的倒电阻法，研究了浮区样品中标准电阻平台的低温变化是源于表面通道还是体通道。结果表明存在显著的依赖于样品的残余体导电，这与先前在具有 Sm 空位的铝助熔剂生长样品中观察到的较少残余体导电形成对比。我们认为活化杂质带中的跳跃是观察到的体导电的一个可能来源，但浮区样品中观察到的大残余体导电不太可能仅仅归因于 Sm 空位。因此我们提出一维缺陷或位错也起到了作用。利用化学蚀刻，我们在助熔剂和浮区样品中都发现了位错的证据，且浮区样品中的位错密度高于铝助熔剂生长的样品。除了一维位错输运的可能性外，我们还在最近 SmB 理论模型的背景下讨论了我们的结果。
引用
@article{arxiv.2011.08923,
title = {Bulk transport paths through defects in floating zone and Al flux grown SmB$_6$},
author = {Yun Suk Eo and Alexa Rakoski and Shriya Sinha and Dmitri Mihaliov and Wesley T. Fuhrman and Shanta R. Saha and Priscila F. S. Rosa and Zachary Fisk and Monica Ciomaga Hatnean and Geetha Balakrishnan and Juan R. Chamorro and Seyed M. Koohpayeh and Tyrel M. McQueen and Boyoun Kang and Myung-suk Song and Beongki Cho and Michael S. Fuhrer and Johnpierre Paglione and Cagliyan Kurdak},
journal= {arXiv preprint arXiv:2011.08923},
year = {2021}
}
备注
22 pages, 4 figures