SmB$_6$：拓扑绝缘体还是具有价态涨落诱导跳跃输运的半导体？
强关联电子
2020-10-08 v4
摘要
我们提请注意这样一个事实：在具有带隙内杂质带的半导体中，价态涨落的存在无条件地导致定域杂质态能量的动态变化（涨落）。我们论证了在由能级围绕费米能级涨落的中心组成的杂质子网络中，存在从占据态向较低能量的空态跳跃的有利条件。因此，我们提出了原创的价态涨落诱导跳跃机制，作为解释在最低温度下实验观测到的 SmB 及其他近藤绝缘体反常类金属导电性的一种新可能性。有趣的是，该机制推断出 SmB 具有增强的类金属表面电导率，这类似于拓扑绝缘体的特征性质，并且与试图证明 SmB 中存在拓扑保护表面态的实验观测相一致。
引用
@article{arxiv.0710.1159,
title = {SmB$_6$: Topological insulator or semiconductor with valence-fluctuation induced hopping transport?},
author = {I. Batko and M. Batkova},
journal= {arXiv preprint arXiv:0710.1159},
year = {2020}
}
备注
17 pages, 3 figures, accepted to Solid State Communications