SmB6：一种具有反常载流子能量分布函数的材料？
强关联电子
2018-11-02 v1
摘要
我们认为，由于价涨落半导体杂质带中杂质能级的价涨落引起的动力学变化（涨落），即使在基态下，杂质带中费米能级之上和之下也都可以存在被占据和未被占据的格点。因此，价涨落半导体局域载流子子系统的基态能量分布函数在 T = 0 K 时与常规半导体有定性上的不同，这为最低温度下价涨落半导体（例如 SmB6 和 YbB12）实验结果的解释提供了新视角。
引用
@article{arxiv.1807.08519,
title = {SmB6: A material with anomalous energy distribution function of charge carriers?},
author = {I. Batko and M. Batkova},
journal= {arXiv preprint arXiv:1807.08519},
year = {2018}
}
备注
arXiv admin note: text overlap with arXiv:1608.02356