SmCoIn$_5$中间价态基态中的电荷涨落

重带形成的微观机制——其与CeCoIn$_5$及其他Ce基重费米子材料中非常规超导相关——强烈依赖于$f$电子从稀土位点离域并参与Kondo晶格的效率。以Sm$^{3+}$($4f^5$, $J=5/2$)替换Ce$^{3+}$($4f^1$, $J=5/2$),我们表明晶体场与在位库仑排斥的组合使SmCoIn$_5$展现出类似于CeCoIn$_5$且具多个$f$电子的$\Gamma_7$基态。引人注目的是,我们还发现在此基态下,SmCoIn$_5$展现出与Kondo图景一致的温度诱导价态交叉,导致在由晶体场设定的温标$T_v$ $\approx$ 60 K以下$f$空穴离域增强。我们的结果提供了证据:在多数$f$电子情形下,晶体场仍是控制重费米子量子临界点附近离域效率最重要的调节旋钮,并进一步阐明电荷涨落在“115”材料基态中起着普遍作用。