通过引入Sm空位破坏SmB6的Kondo绝缘态

SmB6是一种拟议的拓扑Kondo绝缘体，其中拓扑非平凡性的存在可通过Sm价态的变化来调节。实验上，Sm价态可通过调节SmB6的化学计量比来改变。我们表明，拉曼散射可通过探测10~meV处声学声子支的缺陷诱导散射强度，检测SmB6晶体中低于1% Sm位点的空位。在温度低于130~K的SmB6电子拉曼光谱中，我们观察到在A$_{1g}$和E$_g$对称性下于100和41~meV处出现的特征，将其归属于杂化能带间的激发，以及低于20~meV与杂化能隙相关的光谱权重抑制。随着Sm空位数量增加至1%，我们观察到低于20~meV的光谱权重增加，表明能隙正被电子态填充。对于空位数量最少的样品，我们观察到在E$_g$和T$_{2g}$对称性下16-18~meV处具有长寿命、受杂化能隙保护的带隙内激子激发。这些激发随空位数量增加寿命降低而展宽，并在Sm空位浓度约1%时因带隙内态的出现而被淬灭。基于此项研究，我们提出只有最符合化学计量比的SmB6样品才具有拓扑Kondo绝缘体所需的体相能隙。