位错缺陷作为多外尔半金属单极荷的体探针

多外尔半金属具有能带交叉，其色散一般仅在一个方向上线性，因此其能带结构以可大于一的单极荷 $n$ 为特征。我们表明，沿连接节点方向取向的单个螺位错缺陷，作为有效的赝磁通管，可作为表征多外尔半金属体能带结构的单极荷 $n\geq1$ 的直接探针。为此，作为原理证明，我们提出了一种相当简单的介观装置，其中单极荷在垂直于位错的平面所测电导上留下直接印记。特别地，电导随栅压变化的相邻极大值位置之比可用于推断单极荷，而有效赝磁通的值可从电导极大值的位置提取。我们期望这些发现将推动对拓扑节点材料中多个位错以及其他拓扑晶格缺陷（如晶界和向错）作用的进一步研究。