半导体晶体中的穿透位错密度：一种几何方法
量子物理
2012-11-01 v1 介观与纳米尺度物理
数学物理
math.MP
摘要
在这封信中，我们引入了一个几何模型来解释在具有位错密度的半导体中观察到的浅能级的起源。我们表明，均匀分布的螺位错充当了有效的均匀磁场，为自旋1/2量子粒子产生束缚态，即使存在排斥性的类库仑势。这引入了带隙内的能级，增加了位错密度穿过的区域中的载流子浓度，并增加了除近带边复合之外的额外复合路径。
引用
@article{arxiv.1208.2851,
title = {Threading dislocation densities in semiconductor crystals: a geometric approach},
author = {K. Bakke and F. Moraes},
journal= {arXiv preprint arXiv:1208.2851},
year = {2012}
}
备注
9 pages, no figure