通过电场诱导位错调控局域电阻
材料科学
2020-06-30 v1
摘要
位错是一维（1D）拓扑线缺陷，其处晶格偏离完美晶体结构。位错的存在超越凝聚态物质研究，并引发从地质效应[7]到二极管发光[8]等多种涌现现象[1-6]。尽管位错无处不在，迄今为止，其受控形成通常经由应变场实现，或在生长过程中[9,10]施加，或事后通过变形（例如（纳米[11-14]）压痕[15]）施加。本文展示如何利用局域电场诱导部分位错，从而改变电场施加处材料的结构与电子响应。通过结合高分辨成像技术与密度泛函理论计算，我们在铁电六方锰氧化物 Er(Ti,Mn)O3 中直接成像这些位错，并研究其对局域电输运行为的影响。利用电场诱导部分位错是面向新兴缺陷驱动现象这一蓬勃发展领域的概念性新方法，可在无需外部宏观应变场的情况下实现局域性质调控。这种调控是将位错集成并功能化于未来氧化物电子学实用器件的重要一步。
引用
@article{arxiv.2006.15252,
title = {Controlling local resistance via electric-field induced dislocations},
author = {D. M. Evans and D. R. Småbråten and T. S. Holstad and P. E. Vullum and A. B. Mosberg and Z. Yan and E. Bourret and A. T. J. Van Helvoort and S. M. Selbach and D. Meier},
journal= {arXiv preprint arXiv:2006.15252},
year = {2020}
}
备注
20 pages, 7 figures