石墨中准规范场的弹性屏蔽

晶格变形与石墨中低能电子自由度通过有效标量场和规范场进行耦合。我们利用分子动力学模拟显示，位移场的光学分量，即不同子晶格之间的相对运动，贡献的效应等同于声学分量，实际上对准规范场进行了有效的屏蔽。具体而言，我们考察了扭曲双层石墨和凹凸单层石墨。在这两种情况下，光学晶格位移显著降低了准磁场的总体大小。对于凹凸石墨，光学贡献还重新构成了准磁场，并显著修改了电子带在电荷中性附近的行为。之前基于连续弹性理论的研究忽略了这一效应，因此系统性地高估了应变诱导准磁场的强度。我们的结果对解释实验结果以及设计应变电子器件具有重要意义。