六方晶格衬底上的石墨烯：应力与伪磁场
介观与纳米尺度物理
2015-06-22 v1
摘要
基于弹性理论，预测了石墨烯 (GE) 置于六方晶格衬底之上时，其伪磁场和应变分布中的莫尔条纹。石墨烯与衬底之间的范德华 (vdW) 相互作用诱导了石墨烯的面外变形，从而产生应变场，进而产生伪磁场。当错配角约为 0.5 度时，实现了三重对称的应变场，其产生的伪磁场与 F. Guinea, M. I. Katsnelson 和 A. K. Geim [Nat. Phys. 6, 30 (2010)] 提出的非常相似。我们的结果表明，通过改变错配角和衬底粘附参数，可以调节 GE 中伪磁场的周期性和长度，并且由于石墨烯的面外变形可获得相当大的能隙（23 meV），这与最近的实验测量值（20-30 meV）处于同一范围。
引用
@article{arxiv.1407.1187,
title = {Graphene on hexagonal lattice substrate: Stress and Pseudo-magnetic field},
author = {M. Neek-Amal and F. M. Peeters},
journal= {arXiv preprint arXiv:1407.1187},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 3 figures