应变石墨烯中的赝磁场：再探讨
介观与纳米尺度物理
2015-06-15 v2
摘要
我们使用紧束缚方法重新研究了应变石墨烯中由应变诱导的赝磁场理论。给出了跳跃参数和晶格矢量变形的系统展开，由此得到了低能电子的赝磁场表达式。我们推广并讨论了先前的结果，并提出了一种新的有效哈密顿量。针对一个模型三轴应变分布，研究了不同项对赝磁场表达式的贡献，并与完整解进行了比较。我们的工作表明，先前提出的赝磁场表达式在高达15%的合理应变范围内有效，并且不存在依赖于K点的赝磁场。
引用
@article{arxiv.1304.0629,
title = {Pseudo magnetic field in strained graphene: revisited},
author = {M. Ramezani Masir and D. Moldovan and F. M. Peeters},
journal= {arXiv preprint arXiv:1304.0629},
year = {2015}
}
备注
11 pages, 4 figures