受三轴应力作用的石墨烯六角碎片的电子结构
介观与纳米尺度物理
2015-06-19 v1
摘要
利用分子动力学模拟和紧束缚计算，研究了具有扶手椅型或锯齿型边缘的三轴应变六角石墨烯碎片的电子性质。我们发现：i) 应变石墨烯碎片中的赝磁场在中心处不均匀，在锯齿型终止碎片的边缘处也不均匀；ii) 赝磁场在扶手椅型终止碎片的中心处几乎为零，但在边缘附近急剧增加；iii) 对于低于 15 的应变，赝磁场随应变线性增加，而超过此阈值后呈非线性增长；iv) 锯齿型六角形中心的局域态密度表现出具有破缺子晶格对称性的赝朗道能级（在零阶赝朗道能级中），此外，由于应变诱导的标量势，狄拉克锥发生了位移。本研究提供了一个非均匀应变石墨烯电子性质的现实模型，其中正确包含了原子位置的弛豫以及直至次近邻的应变诱导跳跃项修正。
引用
@article{arxiv.1404.4966,
title = {Electronic structure of graphene hexagonal flake subjected to triaxial stress},
author = {M. Neek-Amal and L. Covaci and Kh. Shakouri and F. M. Peeters},
journal= {arXiv preprint arXiv:1404.4966},
year = {2015}
}
备注
10 pages, 11 figures