理解穿通位错在高温反偏应力下对4H-SiC MOSFET击穿的作用
应用物理
2020-09-11 v1 材料科学
摘要
我们对在高温反偏（HTRB）应力下三个月后失效的4H-SiC MOSFET进行了介质击穿起源研究。对失效器件的局部检测表明击穿位置存在穿通位错（TD）。利用先进高空间分辨率扫描探针显微镜（SPM）技术揭示了介质击穿的纳米尺度起源。特别地，SPM揭示了TD的导电性质以及缺陷附近少数载流子浓度的局部增加。数值模拟估计空穴浓度比理想4H-SiC晶体大13个数量级。器件特定区域的空穴注入解释了栅氧化层在应力下的失效。由此，TD在4H-SiC MOSFET介质击穿中的关键作用被明确证实。
关键词
引用
@article{arxiv.2009.04835,
title = {Understanding the role of threading dislocations on 4H-SiC MOSFET breakdown under high temperature reverse bias stress},
author = {P. Fiorenza and M. Alessandrino and B. Carbone and C. Di Martino and A. Russo and M. Saggio and C. Venuto and E. Zanetti and F. Giannazzo and F. Roccaforte},
journal= {arXiv preprint arXiv:2009.04835},
year = {2020}
}