基于 Büttiker 探针的 TDDB 建模：在 MTJ 和 MOS 器件中介电击穿的应用
介观与纳米尺度物理
2017-02-28 v2
摘要
随着器件尺寸的缩小，MOSFET 和磁隧道结（MTJ）等不同电子器件中的介电层正在逐渐被减薄。因此，与时间相关的介电击穿（TDDB）已成为此类器件中的一个主要问题。在本文中，我们提出了一种通用方法，用于对介电层因时间相关老化而产生的应力诱导漏电流（SILC）和击穿后电流（PBC）进行建模。我们使用 Büttiker 探针来模拟介电层中形成的陷阱，并将 Büttiker 探针自能纳入标准的自洽非平衡格林函数（NEGF）形式体系中，以确定 SILC 和 PBC。此外，我们还展示了介电层击穿对 MTJ 的自旋流和自旋过滤特性的影响。所提出的模型具有通用性。它可以扩展应用于从 MTJ 和传统 CMOS 技术到任何其他具有单层或多层介电材料的器件。
引用
@article{arxiv.1609.05919,
title = {Buttiker Probe Based Modeling of TDDB: Application to Dielectric Breakdown in MTJs and MOS Devices},
author = {Ahmed Kamal Reza and Mohammad Khaled Hassan and Kaushik Roy},
journal= {arXiv preprint arXiv:1609.05919},
year = {2017}
}