用于下一代高能物理实验的硅探测器：预期退化
仪器与探测器
2007-05-23 v1 高能物理 - 唯象学
摘要
人们对粒子物理学中甚高能域的研究有着巨大的兴趣，无论是理论上还是实验上，旨在构建关于物质基本组分及其相互作用的一般理论。迄今为止，半导体探测器已广泛用于现代高能物理实验。它们是高分辨率顶点和径迹系统以及量热仪的组成部分。这项工作的主要动机是讨论如何为高能物理挑战的新时代准备一些可能的探测器——仅考虑硅选项，因为探测器中的体位移损伤（辐照的结果）在器件层面产生效应，限制了其长期使用，增加了漏电流和耗尽电压，最终可能达到击穿，从而影响探测器系统的寿命。本文讨论了导致探测器退化的物理现象，并在器件层面（漏电流和有效载流子浓度）分析了在LHC之后下一代强子对撞机、下一代轻子对撞机和伽马-伽马对撞机以及天体粒子实验中预期的辐射环境下的效应，在长时间连续辐照条件下，针对不同的技术选项。预测结果有助于更好地决策，以获得对辐射具有更强鲁棒性的器件。
引用
@article{arxiv.physics/0512275,
title = {Silicon detectors for the next generation of high energy physics experiments: expected degradation},
author = {I. Lazanu and S. Lazanu},
journal= {arXiv preprint arXiv:physics/0512275},
year = {2007}
}