硅中的辐照过程与高能物理实验探测器长期退化的相关性
仪器与探测器
2008-11-26 v1 高能物理 - 唯象学
摘要
在本文中，在一个现象学模型框架内研究了硅中由辐照引起的基本相互作用过程与限制硅探测器在高能物理实验中使用的可观效应之间的相关性，该模型包括：从硅中的基本相互作用在辐照开始时产生初级缺陷；缺陷的动力学；p-n 结探测器层面的效应。研究了辐照粒子（π介子、质子、中子）、其通量、硅中阈能各向异性、起始材料的杂质浓度和电阻率所导致的效应，作为探测器特性对时间、注量和温度的依赖关系。预测了在 LHC 和 SLHC 的复杂强子本底场中探测器电学参数的预期退化。
引用
@article{arxiv.physics/0611185,
title = {Correlation between radiation processes in silicon and long-time degradation of detectors for high energy physics experiments},
author = {Sorina Lazanu and Ionel Lazanu},
journal= {arXiv preprint arXiv:physics/0611185},
year = {2008}
}
备注
prepared for the 10th International Symposium on Radiation Physics, 17-22 September, 2006, Coimbra, Portugal