金刚石、硅、碳化硅及部分III-V族半导体材料在强子场中行为的预测
仪器与探测器
2007-05-23 v1 天体物理学
材料科学
高能物理 - 实验
摘要
在未来粒子对撞机、空间应用、医学和工业等强辐射环境中，使用晶体半导体材料作为探测器和器件，使得获得更耐辐射的材料成为必要。金刚石、SiC以及不同的III-V族化合物（GaAs、GaP、InP、InAs、InSb）是硅在上述应用领域中不同电子器件的潜在竞争者。本文的主要目标是给出这些半导体在强子场（π介子、质子）中行为的理论预测。本文从入射粒子和靶材两个角度表征了入射粒子与半导体相互作用的效应，前者相关的物理量是核相互作用引起的能量损失，后者则使用单位粒子注量下初级辐射诱导缺陷的浓度来表征。文中还对强子和空间实验中可能应用场景下，这些材料所受辐射损伤做出了一些预测。
引用
@article{arxiv.physics/0008214,
title = {Predictions about the behaviour of diamond, silicon, SiC and some AIIIBV semiconductor materials in hadron fields},
author = {Ionel Lazanu and Sorina Lazanu},
journal= {arXiv preprint arXiv:physics/0008214},
year = {2007}
}
备注
12 pages, 7 figures, submitted to Radiation Measurements