金刚石同质结P-I-N中的超注入效应

金刚石和许多新兴半导体材料展现出卓越的光学和磁学特性。然而,它们不能像硅或砷化镓那样高效掺杂,这限制了其实际适用性。在此,我们报道了金刚石p-i-n二极管中的超注入效应,其使得向二极管i区注入的电子数量比n型注入层的掺杂所允许的多出几个数量级。此外,我们展示了利用实现于i区中的i-p光栅可进一步提高电子注入效率。所预测的超注入效应能够克服与金刚石中施主高激活能相关的基本限制,并使得设计高性能器件成为可能。