面向功率应用的金刚石/c-BN高电子迁移率晶体管：一项理论可行性分析
应用物理
2019-01-31 v1
摘要
金刚石在直流和射频领域都是高功率电子应用的一种有前景的材料。然而，由于若干技术挑战，其预期优势尚待实现。特别是，由于n型掺杂剂的大电离能和低热力学溶解度极限，n型器件一直不可行。受非平衡加工近期进展的推动，我们提出并从理论上考察了一种可规避这些关键限制的金刚石/c-BN高电子迁移率晶体管（HEMT）。第一性原理计算表明，这两种近乎晶格匹配的半导体在异质结处具有所需的I型能带排列。研究还表明，通过栅偏压可在未掺杂金刚石沟道中诱导出超过的大面载流子密度。对简单原型设计的后续分析表明，所提出的器件可同时实现大电流驱动（~10 A/cm）、低（）和高（~300 GHz）。
引用
@article{arxiv.1901.10572,
title = {Diamond/c-BN HEMTs for power applications: A theoretical feasibility analysis},
author = {Namita Narendra and Jagdish Narayan and Ki Wook Kim},
journal= {arXiv preprint arXiv:1901.10572},
year = {2019}
}