金刚石与硅传感器的抗辐射性能比较
仪器与探测器
2015-05-13 v1
摘要
本文在实验和理论上比较了硅带电粒子传感器与单晶及多晶金刚石传感器的抗辐射性能。结果表明，对于硅和碳传感器，NIEL 假设（即信号损失与非电离能量损失成正比）是对现有数据的良好近似。在入射质子和中子能量远高于 0.1 GeV 时，辐射损伤主要由非弹性截面主导，而在非相对论能量下，弹性截面占主导地位。较小的非弹性核子 - 碳截面和较轻的核碎片意味着，在高能下，金刚石的抗辐射能力比硅高出一个数量级，而在低于 0.1 GeV 的能量下，这种差异显著减小。
引用
@article{arxiv.0705.0171,
title = {Radiation hardness of diamond and silicon sensors compared},
author = {Wim de Boer and Johannes Bol and Alexander Furgeri and Steffen Mueller and Christian Sander and Eleni Berdermann and Michal Pomorski and Mika Huhtinen},
journal= {arXiv preprint arXiv:0705.0171},
year = {2015}
}
备注
6 pages, 4 figurs, invited talk at the Hasselt Diamond Workshop, Feb. 2007