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COMET Phase-I电子学器件的辐射硬度研究

仪器与探测器 2019-12-11 v2

摘要

在J-PARC的COMET Phase-I实验中,前端读出与触发电子学的辐射损伤是一个重要问题,该实验计划搜寻μ子到电子的无中微子转变。为产生强μ子束,高功率质子束轰击石墨靶,导致高辐射环境。我们要求在物理测量期间具有1.0kGy1.0\,\mathrm{kGy}总剂量与1MeV1\,\mathrm{MeV}等效中子注量1.0×1012neqcm21.0\times10^{12}\,\mathrm{n_{eq}\,cm^{-2}}的辐射耐受性,并包含5倍安全系数。在此类环境中,若能获得具有高辐射耐受性的商用电子学元件,则其使用是理想的。商用电子元件的辐射硬度已在γ射线与中子辐照试验中评估。作为这些试验的结果,电压调节器、ADC、DAC及若干其他元件被发现对γ射线与中子辐照均具有满足我们要求水平的足够耐受性。

关键词

引用

@article{arxiv.1912.01742,
  title  = {Radiation hardness study for the COMET Phase-I electronics},
  author = {Yu Nakazawa and Yuki Fujii and Ewen Gillies and Eitaro Hamada and Youichi Igarashi and MyeongJae Lee and Manabu Moritsu and Yugo Matsuda and Yuta Miyazaki and Yuki Nakai and Hiroaki Natori and Kou Oishi and Akira Sato and Yoshi Uchida and Kazuki Ueno and Hiroshi Yamaguchi and BeomKi Yeo and Hisataka Yoshida and Jie Zhang},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1912.01742},
  year   = {2019}
}