极端粒子 fluence 下 p 型硅传感器辐射损伤研究
仪器与探测器
2025-11-06 v1
摘要
我们研究了 p 型硅垫片传感器的辐射耐受性，这些传感器原生开发用于重力-ion 碰撞实验、宇宙射电望远镜和深空任务等高 fluence 环境。对单个垫片 test 结构进行中子辐照，并对辐照后性能进行表征。系统分析了泄漏电流和能量沉积响应随累积中子 fluence 的演化规律。此外，我们提出一种简单指数退火模型，用于预测辐照后泄漏电流的时间依赖性。实验数据与模型相结合，量化了性能退化与恢复趋势，为在恶劣辐射环境下基于硅的热力学测量的设计与运行提供指导。
关键词
引用
@article{arxiv.2511.03573,
title = {Radiation damage study of a p-type silicon sensor under extreme particle fluence},
author = {Arun Kumar Yadav and Sanjib Muhuri and Anup Kumar Sikdar and Subikash Choudhury and Sourav Mukhopadhyay and Jogender Saini and Mitul Abhangi and Ratnesh Kumar and Sudhirsinh Vala and Zubayer Ahammed},
journal= {arXiv preprint arXiv:2511.03573},
year = {2025}
}
备注
17 pages, 17 figures, 2 tables