简化唯象模型中硅内辐射诱导缺陷的退火
仪器与探测器
2009-11-06 v2
摘要
此前已在Lindhard理论框架内,通过考虑入射粒子与半导体晶格原子核之间原初相互作用的显式机制,以及电离与位移之间的反冲能量分配,估算了原初辐射诱导缺陷的浓度。原初位移缺陷为空位和间隙原子,它们在硅中本质上不稳定。它们通过迁移、复合、湮灭或产生其他缺陷而相互作用。在本工作中,对辐照后中高电阻率硅探测器中π介子诱导缺陷浓度的时间演化进行了建模。在某些近似下,表示时间演化过程的微分方程可解耦。所得理论方程在若干特定情况下解析求解,含一个自由参数,适用于宽范围的粒子通量和/或入射粒子宽能量范围,以及不同温度;并给出了相应的稳态解。
引用
@article{arxiv.physics/0008077,
title = {Annealing of radiation induced defects in silicon in a simplified phenomenological model},
author = {Sorina Lazanu and Ionel Lazanu},
journal= {arXiv preprint arXiv:physics/0008077},
year = {2009}
}
备注
14 pages, 5 figures, accepted to Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B second version, major revision