通过锂 Zintl 缺陷复合体实现硅的锂化
材料科学
2013-05-28 v1
摘要
利用密度泛函理论方法和从头算随机结构搜索 (AIRSS) 方法对晶体硅中的低能锂缺陷进行了广泛搜索，结果表明四锂原子取代点缺陷异常稳定。该缺陷由四个锂原子组成，它们与硅空位缺陷的四个配位不足原子形成强离子键，类似于 Zintl 相中金属离子的成键方式。该复合体在一系列硅环境中均保持稳定，表明它可能有助于晶体硅的非晶化，并在锂离子电池硅负极脱锂过程中形成。
引用
@article{arxiv.1305.6265,
title = {Lithiation of silicon via lithium Zintl-defect complexes},
author = {Andrew J. Morris and R. J. Needs and Elodie Salager and C. P. Grey and Chris J. Pickard},
journal= {arXiv preprint arXiv:1305.6265},
year = {2013}
}
备注
4 pages, 3 figures