非晶硅模型中的点缺陷及其在结构松弛中的作用
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
我们利用紧束道分子动力学模拟研究了点缺陷（空位和间错）在非晶硅结构松弛中的作用。我们的计算提供了明确的证据表明，点缺陷可在非晶固体中定义，表现为价值电荷/Voronoi体积关系中的异常。在退火过程中，径向分布函数的变化与最近的高精度X射线衍射测量结果高度一致。我们的计算强有力地表明，非晶硅的结构松弛通过空位和间错的相互消除来完成，即发生局部结构变化，而非整个网络的整体松弛。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0108141,
title = {Point defects in models of amorphous silicon and their role in structural relaxation},
author = {Cristiano L. Dias and Laurent J. Lewis and S. Roorda},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0108141},
year = {2007}
}
备注
6 pages including 2 .eps figures; submitted to Physical Review Letters; additional publications on this and related topics can be found on web site http://www.esi.umontreal.ca/~grofnum