无定形硅中的活化机制：基于活化松弛技术的研究
无序系统与神经网络
2009-10-31 v1 材料科学
摘要
在低温下，无定形硅的动力学通过一系列离散的活化事件实现，这些事件会局部重新组织拓扑网络。我们采用活化松弛技术生成了包含超过8000个此类事件的数据库，并对这些事件进行分析，分析内容包括其能垒、非对称性、位移及体积膨胀/收缩。我们特别关注那些对应于扩散配位缺陷的事件。能量学与位移或在充分松弛配置中的缺陷密度之间并未明确相关。然而，我们发现某些事件与局部体积膨胀存在相关性，其体积膨胀约为4 eV/ų。这些事件的拓扑特性也得到了研究；它们显示出意想不到的多样性。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9905410,
title = {Activated mechanisms in amorphous silicon: an activation-relaxation-technique study},
author = {Normand Mousseau and G. T. Barkema},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9905410},
year = {2009}
}
备注
10 pages, 9 figures