实验约束分子弛豫：氢化非晶硅案例

我们将实验约束分子弛豫技术（P. Biswas 等人，Phys. Rev. B 71 54204 (2005)）扩展至氢化非晶硅：构建了一个含 7.4% 氢的 540 原子模型和一个含 22% 氢的 611 原子模型。从随机构型出发，利用物理相关的约束、{\it ab initio} 相互作用以及实验静态结构因子，我们构建了真实的氢化非晶硅模型。我们的模型证实了振动态密度中存在一个由 Si-H 振动引起的高频局域带，这一现象已在最近对等离子体增强化学气相沉积氢化非晶硅薄膜的振动瞬态光栅测量中被观察到。