原子尺度建模的逆向方法：在 a-Si:H 与 g-GeSe2 中的应用
无序系统与神经网络
2009-11-13 v1 材料科学
摘要
我们讨论了一种用于玻璃态材料原子尺度建模的逆向方法。重点是氢化非晶硅和玻璃态 GeSe2 合金的结构建模与电子性质。本研究基于一种新方法“实验约束分子弛豫（ECMR）”。传统方法（如分子动力学（MD）和蒙特卡洛模拟（MC））需要指定势函数，并使系统按确定性（MD）或随机性（MC）演化；与此不同，我们开发了一种利用实验数据结合密度泛函计算来建模结构构型的新方案。我们将该方法应用于氢化非晶硅和玻璃态 GeSe2 的建模，并将这些模型的电子和结构性质与实验数据以及传统分子动力学模拟获得的模型进行了比较。
引用
@article{arxiv.0801.3685,
title = {Inverse approach to atomistic modeling: Applications to a-Si:H and g-GeSe2},
author = {Parthapratim Biswas and D. A. Drabold},
journal= {arXiv preprint arXiv:0801.3685},
year = {2009}
}
备注
3 pages, 5 figures, submitted to Journal of Non-crystalline Solids