辐照对碳化硅中缺陷自旋相干性的影响

碳化硅（SiC）中辐照诱导的晶格缺陷早已超越其以往仅抑制性能的声誉。凭借其卓越的量子特性，如长室温自旋相干性以及缩小至单光子源水平的可能性，它们已被证明是众多量子信息应用的有前途的候选者。任何量子系统最关键的参数之一是其量子相干性能保持多久。通过使用脉冲光探测磁共振（ODMR）技术，我们研究了在中子、电子和质子辐照于宽广注量范围内产生的 4H-SiC 中硅空位的自旋-晶格弛豫时间（$T_1$）和自旋相干时间（$T_2$）。我们还考察了辐照能量和样品退火的影响。我们确立了 $T_1$ 时间对所有类型辐照的鲁棒性，并揭示了 $T_2$ 时间随发射体密度的普适标度关系。我们的结果可用于针对特定任务优化 SiC 中硅空位量子比特的相干特性。